产品分类
产品中心
InGaAs雪崩光电二极管
雪崩光电二极管（APD）芯片
lnGaAs APD可大大降低暗电流 该款InGaAs APD(雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和加工处理流程，和现有产品相比，大幅度降低了暗电流。G14858-0020AA可以用于距离测量，微弱光检测等。
主要特征 
返回列表页产品特点
﹒低暗电流
典型应用
﹒低电容
产品特征
·高灵敏度
标准模块光学参数
| Model | G14858-0020AA |
|---|---|
| 象元数 | 1 |
| 感光面积 | p0.2 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 光谱响应范围 | 950 to 1700 nm |
| 峰值波长(典型值) | 1550 nm |
| 灵敏度（典型值) | 0.8 A/W |
| 暗电流(最大值) | 50 nA |
| 截止频率(典型值) | 900 MHz |
| 结电容(典型值) | 2 pF |
| 击穿电压(典型值) | 65 V |
| 击穿电压温度系数(典型值) | 0.1 V/°C |
| 测试条件 | Ta25℃ Photosensitivity: 入1.55 um M1 |
